苏州证券配资公共服务网纳微推出第五代碳化硅沟槽辅助平面MOSFET技术

在理想L9、问界M9、蔚来ES8等9系SUV已形成较强用户基数的背景下，小鹏GX以39.98万元的预售价入局，其核心命题已不再是“是否还有空间”，而是“以何种方式重新定义旗舰SUV的价值锚点”。

盖世汽车讯据外媒报道，GaNFast™氮化镓(GaN)和GeneSiC™碳化硅(SiC)功率半导体公司纳微半导体(Navitas Semiconductor)宣布推出其第五代GeneSiC技术平台。该高压(HV)碳化硅沟槽辅助平面(Trench-Assisted Planar，TAP)MOSFET技术较前几代产品实现了显著的技术飞跃，并将提供1200伏MOSFET产品线。它具备领先的性能、稳定性和质量，能够为电动汽车、数据中心和可再生能源系统等高功率应用提供更快、更低温、更可靠的功率转换。

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图片来源：纳微半导体

第五代MOSFET平台采用纳微迄今为止最紧凑的TAP架构，结合了平面栅极的坚固性和源区沟槽结构带来的同类最佳性能指标苏州证券配资公共服务网，同时提高了高压电力电子器件的效率和使用寿命可靠性。

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